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CNN随笔记

发表于2025-04-06|更新于2025-04-17
|浏览量:
文章作者: ZJN
文章链接: http://iczjn.com/posts/3192795050.html
版权声明: 本博客所有文章除特别声明外，均采用 CC BY-NC-SA 4.0 许可协议。转载请注明来源 Cosmos！
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半导体物理随记
常用符号含义 发现自己总是记不住符号，都到了看不懂公式的地步了，随记一下 ND 施主掺杂浓度 NC 导带有效态密度 半导体导带中可供电子占据的量子态数量 NV 价带有效态密度 NDC 临界浓度（EF = EC） nD+ 电离施主浓度 n0 导带电子浓度 EC 导带底能级 ED 施主能级 EA 受主能级 Δ\DeltaΔED = Ec-ED 杂质电离能 EC──────────────── 导带底 │ │ ΔED ED ───┘ 施主能级 EF──────────────── 费米能级（随掺杂变化） EV ──────────────── 价带顶
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ld链接与简易bootloader（添加全局变量支持）
堆区 在启动文件里分配，作为用户主动申请时的空间，如调用malloc() 栈区 在启动文件里分配，作为局部变量自动申请和释放空间的变量（也有说是编译器分配的空间） bss 存放未初始化的全局变量和静态变量； data 存放初始化后的全局变量和静态变量； 已初始化的全局变量（data）嵌入程序，不可能直接存在RAM中，必须先载入ROM，再通过memcpy载入RAM中（这也是数电H中我没能想到的，不过那时也没实现标准库也不太可能搞这种骚操作），bss由于是未初始化的，直接链接到RAM就行。 12345678910111213141516 _sidata = LOADADDR(.data); .data : { _sdata = .; *(.data*) *(.sdata*) _edata = .; } > sram AT >mrom :data.bss : { _bstart = .; *(.bss*) *(.sbss*) *(.scommon) _bend = .; }...
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